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FZ1600R17KE3NOSA1
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FZ1600R17KE3NOSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:A-IHM130-2
描述:晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 2.3 kA, 2 V, 8.95 kW, 1.7 kV, Module
PDF文件:FZ1600R17KE3NOSA1 数据手册 (8 页)
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FZ1600R17KE3NOSA1 数据手册 (8 页)
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FZ1600R17KE3NOSA1 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数7 Pin
封装A-IHM130-2
功耗8.95 kW
击穿电压(集电极-发射极)1700 V
输入电容值(Cies)145nF @25V
额定功率(Max)8950 W
工作温度(Max)125 ℃
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FZ1600R17KE3NOSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tray
工作温度-40℃ ~ 125℃ (TJ)
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FZ1600R17KE3NOSA1 数据手册

FZ1600R17KE3NOSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
8 页 / 0.39 MByte
FZ1600R17KE3NOSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
36 页 / 3.45 MByte
FZ1600R17KE3NOSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
73 页 / 2.93 MByte
FZ1600R17KE3NOSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
40 页 / 6.73 MByte
FZ1600R17KE3NOSA1 产品描述及参数
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.03 MByte

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