| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | AG-62MM-2 |
| 功耗 | 2.8 kW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 1200 V |
| 输入电容值(Cies) | 42nF @25V |
| 额定功率(Max) | 2800 W |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2800000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tray |
| 工作温度 | -40℃ ~ 125℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.06 MByte
Infineon（英飞凌）
36 页 / 3.45 MByte
Infineon（英飞凌）
73 页 / 2.93 MByte
Infineon（英飞凌）
40 页 / 6.73 MByte
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.13 MByte
Infineon（英飞凌）
62毫米C- Serien MODUL MIT海沟/ Feldstopp IGBT3 UND发射极控制二极管3 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode
Infineon（英飞凌）
晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 900 A, 1.7 V, 2.8 kW, 1.2 kV, Module
Infineon（英飞凌）
62毫米C- Serien MODUL MIT海沟/ Feldstopp IGBT3 UND发射极控制二极管3 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
