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FZ800R12KE3HOSA1
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FZ800R12KE3HOSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:AG-62MM-2
描述:晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 800 A, 1.7 V, 3.55 kW, 1.2 kV, Module
PDF文件:FZ800R12KE3HOSA1 数据手册 (1 页)
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FZ800R12KE3HOSA1 数据手册 (1 页)
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FZ800R12KE3HOSA1 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数4 Pin
封装AG-62MM-2
功耗3.55 kW
击穿电压(集电极-发射极)1200 V
输入电容值(Cies)56nF @25V
额定功率(Max)3550 W
工作温度(Max)125 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)3550000 mW
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FZ800R12KE3HOSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tray
工作温度-40℃ ~ 125℃ (TJ)
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FZ800R12KE3HOSA1 数据手册

FZ800R12KE3HOSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.06 MByte
FZ800R12KE3HOSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
36 页 / 3.45 MByte
FZ800R12KE3HOSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
73 页 / 2.93 MByte
FZ800R12KE3HOSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
40 页 / 6.73 MByte
FZ800R12KE3HOSA1 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.13 MByte

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