| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 频率 | 100 MHz |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 额定电压(DC) | -30.0 V |
| 额定电流 | -5.50 A |
| 封装 | TO-261-4 |
| 额定功率 | 3 W |
| 极性 | PNP |
| 功耗 | 3 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 30 V |
| 集电极最大允许电流 | 5.5A |
| 最小电流放大倍数 | 100 @1A, 1V |
| 最大电流放大倍数 | 100 |
| 额定功率(Max) | 3 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 3000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 6.7 mm |
| 宽度 | 3.7 mm |
| 高度 | 1.65 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Diodes（美台）
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Diodes（美台）
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Diodes（美台）
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Diodes（美台）
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Diodes（美台）
单晶体管 双极, PNP, 30 V, 80 MHz, 3 W, 7 A, 200 hFE
Vishay Semiconductor（威世）
DIODES INC. FZT949 单晶体管 双极, PNP, 30 V, 80 MHz, 3 W, 7 A, 200 hFE
Diodes Zetex（捷特科）
PNP 晶体管，超过 1.5A，Diodes Inc### 双极晶体管，Diodes Inc### 晶体管，Diodes Inc
Diodes（美台）
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP HighCt Low Sat
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