类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
封装 | SOT-223 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -140V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −100V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 125MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -420mV/-0.42V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 3W Description & Applications| PNP SILICON PLANAR HIGH CURRENT TRANSISTORS FEATURES 5 Amps continuous current , up to 15 Amps peak current Very low saturation voltages Excellent gain characteristics specified up to 10 Amps COMPLEMENTARY TYPES FZT853 描述与应用| PNP硅平面高电流晶体管 特点 5安培连续电流高达15安培的峰值电流 极低的饱和电压 出色的增益特性可达10安培 互补类型FZT853
Diodes(美台)
单晶体管 双极, PNP, 100 V, 125 MHz, 3 W, -5 A, 200 hFE
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC. FZT953 单晶体管 双极, PNP, 100 V, 125 MHz, 3 W, -5 A, 200 hFE
Zetex
PNP硅平面高电流晶体管特点5安培连续电流高达15安培的峰值电流极低的饱和电压出色的增益特性可达10安培互补类型FZT853
Diodes Zetex(捷特科)
PNP 晶体管,超过 1.5A,Diodes Inc### 双极晶体管,Diodes Inc### 晶体管,Diodes Inc
Diodes(美台)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP HighCt Low Sat
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