| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Chassis |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | SOT-227-4 |
| 功耗 | 500000 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
| 输入电容值(Cies) | 16.5nF @30V |
| 额定功率(Max) | 500 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 500000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 高度 | 12.3 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Vishay Semiconductor（威世）
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Vishay Semiconductor（威世）
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International Rectifier（国际整流器）
VISHAY（威世）
绝缘栅双极晶体管（超快速度IGBT ） ， 100 A Insulated Gate Bipolar Transistor (Ultrafast Speed IGBT), 100 A
VISHAY（威世）
绝缘栅双极晶体管超低的VCE（on ） ， 342 Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 342 A
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