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GT25Q102
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GT25Q102 数据手册 - Toshiba（东芝）

制造商:Toshiba（东芝）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-3
描述:TOSHIBA  GT25Q102  单晶体管, IGBT, 25 A, 2.7 V, 200 W, 1.2 kV, TO-3P, 3 引脚
PDF文件:GT25Q102 数据手册 (6 页)
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GT25Q102 数据手册 (6 页)
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GT25Q102 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-3
针脚数3 Position
极性N-Channel
功耗200 W
上升时间100 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)200000 mW
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GT25Q102 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
工作温度-55℃ ~ 150℃
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GT25Q102 数据手册

GT25Q102 数据手册
Toshiba（东芝）
6 页 / 0.33 MByte
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