| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-252 |
| 上升时间 | 45 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2600pF @10V(Vds) |
| 下降时间 | 13 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 30000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 材质 | Silicon |
Renesas Electronics（瑞萨电子）
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Renesas Electronics（瑞萨电子）
硅P沟道MOS FET高速电源开关 Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
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H7P1002DS90TR P沟道MOS场效应管 -100V -1.5A 0.0085ohm SOT-252 marking/标记 7P1002
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