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HAT1036R-EL-E
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HAT1036R-EL-E 数据手册 - Renesas Electronics（瑞萨电子）

制造商:Renesas Electronics（瑞萨电子）
分类:MOS管
封装:SOP
描述:硅P沟道功率MOS FET电源开关 Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching
PDF文件:HAT1036R-EL-E 数据手册 (9 页)封装尺寸在8 页
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焊盘图
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HAT1036R-EL-E 数据手册 (9 页)
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HAT1036R-EL-E 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOP
极性P-CH
功耗2.5 W
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)12A
上升时间350 ns
输入电容值(Ciss)4200pF @10V(Vds)
下降时间120 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2500 mW
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HAT1036R-EL-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
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HAT1036R-EL-E 数据手册

HAT1036R-EL-E 数据手册
Renesas Electronics（瑞萨电子）
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HAT1036 数据手册

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Renesas Electronics（瑞萨电子）
硅P沟道功率MOS FET电源开关 Silicon P Channel Power MOS FET Power Switching
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