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HAT2166H-EL-E
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HAT2166H-EL-E 数据手册 - Renesas Electronics（瑞萨电子）

制造商:Renesas Electronics（瑞萨电子）
分类:MOS管
封装:SOT-669
描述:硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
PDF文件:HAT2166H-EL-E 数据手册 (10 页)封装尺寸在9 页
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焊盘图
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HAT2166H-EL-E 数据手册 (10 页)
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HAT2166H-EL-E 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数5 Pin
封装SOT-669
极性N-CH
功耗25 W
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)45A
上升时间35 ns
输入电容值(Ciss)4400pF @10V(Vds)
额定功率(Max)25 W
下降时间7.5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)25W (Tc)
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HAT2166H-EL-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
工作温度150℃ (TJ)
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HAT2166H-EL-E 数据手册

HAT2166H-EL-E 数据手册
Renesas Electronics（瑞萨电子）
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