Datasheet 搜索 > MOS管 > Renesas Electronics（瑞萨电子） > HAT2173N-EL-E Datasheet 文档
HAT2173N-EL-E
来自 AiPCBA

HAT2173N-EL-E 数据手册 - Renesas Electronics（瑞萨电子）

制造商:Renesas Electronics（瑞萨电子）
分类:MOS管
封装:LFPAK-i
描述:硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
PDF文件:HAT2173N-EL-E 数据手册 (10 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
HAT2173N-EL-E 数据手册 (10 页)
查看文档
或点击图片查看大图

HAT2173N-EL-E 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装LFPAK-i
上升时间15 ns
输入电容值(Ciss)4350pF @10V(Vds)
下降时间5.7 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)30000 mW
查看数据手册 >

HAT2173N-EL-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tape & Reel (TR)
材质Silicon
查看数据手册 >

HAT2173N-EL-E 数据手册

HAT2173N-EL-E 数据手册
Renesas Electronics（瑞萨电子）
10 页 / 0.13 MByte
HAT2173N-EL-E 产品手册
Renesas Electronics（瑞萨电子）
8 页 / 0.08 MByte

HAT2173 数据手册

HAT2173H-EL-E 数据手册
Renesas Electronics（瑞萨电子）
硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2173N-EL-E 数据手册
Renesas Electronics（瑞萨电子）
硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2173H 数据手册
Renesas Electronics（瑞萨电子）
硅N通道功率MOS FET电源开关 Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
HAT2173H 数据手册
Sanyo Semiconductor（三洋）
HAT2173H N 沟道场效应管 100V 25A LFPAK 高速开关 低驱动电流
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet