| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 功耗 | 298000 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 1200 V |
| 额定功率(Max) | 298 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 298000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGT1S10N120BNST 单晶体管, IGBT, 35 A, 2.45 V, 298 W, 1.2 kV, TO-263AB, 3 引脚
ON Semiconductor（安森美）
分离式 IGBT、1000V 及以上，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
Fairchild（飞兆/仙童）
35A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT 35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
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