Datasheet 搜索 > ON Semiconductor（安森美） > HGT1S20N60C3S9A Datasheet 文档
HGT1S20N60C3S9A
来自 AiPCBA

HGT1S20N60C3S9A 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
封装:TO-263-3
PDF文件:HGT1S20N60C3S9A 数据手册 (8 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
HGT1S20N60C3S9A 数据手册 (8 页)
查看文档
或点击图片查看大图

HGT1S20N60C3S9A 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
功耗164000 mW
击穿电压(集电极-发射极)600 V
额定功率(Max)164 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)164000 mW
查看数据手册 >

HGT1S20N60C3S9A 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

HGT1S20N60C3S9A 数据手册

HGT1S20N60C3S9A 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.13 MByte
HGT1S20N60C3S9A 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
18 页 / 0.94 MByte

HGT1S20N60C3S9 数据手册

HGT1S20N60C3S9A 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
HGT1S20N60C3S9A 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
IGBT UFS 45 A 600 V N沟道 TO-263AB 卷盘包装
HGT1S20N60C3S9A 数据手册
Intersil（英特矽尔）
HGT1S20N60C3S9A 数据手册
Harris
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet