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HGTD1N120BNS9A
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HGTD1N120BNS9A 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-252-3
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HGTD1N120BNS9A  单晶体管, IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 引脚
PDF文件:HGTD1N120BNS9A 数据手册 (9 页)
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HGTD1N120BNS9A 数据手册 (9 页)
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HGTD1N120BNS9A 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)1.20 kV
额定电流5.30 A
封装TO-252-3
针脚数3 Position
功耗60 W
击穿电压(集电极-发射极)1200 V
额定功率(Max)60 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)60000 mW
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HGTD1N120BNS9A 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.6 mm
宽度6.1 mm
高度2.3 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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HGTD1N120BNS9A 数据手册

HGTD1N120BNS9A 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
9 页 / 0.16 MByte
HGTD1N120BNS9A 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
18 页 / 0.94 MByte
HGTD1N120BNS9A 产品修订记录
Fairchild（飞兆/仙童）
7 页 / 0.87 MByte

HGTD1N120BNS9 数据手册

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