| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247-3 |
| 功耗 | 298000 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 1200 V |
| 反向恢复时间 | 70 ns |
| 额定功率(Max) | 298 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 298000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not For New Designs |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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Fairchild（飞兆/仙童）
HGTG10N120BND系列 1200 V 35 A 法兰安装 NPT N沟道 IGBT-TO-247
Intersil（英特矽尔）
35A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Fairchild（飞兆/仙童）
35A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT 35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
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