| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 1.20 kV |
| 额定电流 | 43.0 A |
| 封装 | TO-247-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 298 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 1200 V |
| 反向恢复时间 | 70 ns |
| 额定功率(Max) | 298 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 298000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tube |
| 高度 | 20.82 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG11N120CND 单晶体管, IGBT, 43 A, 2.4 V, 298 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
ON Semiconductor（安森美）
HGTG11N120CND系列 1200 V 43 A 法兰安装 NPT N沟道 IGBT-TO-247
Fairchild（飞兆/仙童）
43A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT 43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
Intersil（英特矽尔）
43A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
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