| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 1.20 kV |
| 额定电流 | 54.0 A |
| 封装 | TO-247-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 390 W |
| 上升时间 | 22.0 ns |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 1200 V |
| 反向恢复时间 | 75 ns |
| 额定功率(Max) | 390 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 390 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 15.87 mm |
| 宽度 | 4.82 mm |
| 高度 | 20.82 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
9 页 / 0.25 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
20 页 / 2.6 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.03 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.44 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.15 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG18N120BND 单晶体管, IGBT, 通用, 54 A, 2.7 V, 390 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
Fairchild（飞兆/仙童）
54A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT 54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor HGTG18N120BND N沟道 IGBT, 54 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
Intersil（英特矽尔）
54A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Fairchild（飞兆/仙童）
54A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
