| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 75.0 A |
| 封装 | TO-247-3 |
| 额定功率 | 463 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 463 W |
| 上升时间 | 12.0 ns |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
| 额定功率(Max) | 463 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 463000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 15.87 mm |
| 宽度 | 4.82 mm |
| 高度 | 20.82 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG30N60A4D 单晶体管, IGBT, 通用, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG30N60B3D.. 单晶体管, IGBT, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG30N60A4 单晶体管, IGBT, 通用, 75 A, 2.6 V, 463 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG30N60C3D 单晶体管, IGBT, 63 A, 1.8 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG30N60B3 单晶体管, IGBT, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
ON Semiconductor（安森美）
HGTG30N60A4系列 600 V 75 A 法兰安装 SMPS N沟道 IGBT-TO-247
ON Semiconductor（安森美）
分离式 IGBT，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
ON Semiconductor（安森美）
单晶体管, IGBT, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor HGTG30N60B3 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
ON Semiconductor（安森美）
HGTG30N60C3D 系列 600 V 63 A 法兰安装 UFS N 沟道 IGBT-TO-247
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