| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 60.0 A |
| 封装 | TO-247-3 |
| 额定功率 | 208 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 功耗 | 208 W |
| 上升时间 | 25.0 ns |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
| 反向恢复时间 | 55 ns |
| 额定功率(Max) | 208 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 208000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tube |
| 高度 | 20.82 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG30N60B3 单晶体管, IGBT, 60 A, 1.45 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor HGTG30N60B3 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
Intersil（英特矽尔）
60A ， 600V ， UFS系列N沟道IGBT 60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG30N60B3D.. 单晶体管, IGBT, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
ON Semiconductor（安森美）
单晶体管, IGBT, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
Intersil（英特矽尔）
60A ， 600V ， UFS系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
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