| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 70.0 A |
| 封装 | TO-247-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 290 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
| 额定功率(Max) | 290 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 290000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 15.87 mm |
| 宽度 | 4.82 mm |
| 高度 | 20.82 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
分离式 IGBT，Fairchild Semiconductor
●### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor
●绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
HGTG40N60A4系列 600 V 75 A 法兰安装 SMPS N沟道 IGBT-TO-247
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG40N60B3 单晶体管, IGBT, 70 A, 2 V, 290 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
ON Semiconductor（安森美）
HGTG40N60B3 系列 600 V 70 A 法兰安装 UFS N沟道 IGBT-TO-247
ON Semiconductor（安森美）
HGTG40N60A4 系列 600 V 75 A 法兰安装 SMPS N 沟道 IGBT - TO-247
Intersil（英特矽尔）
600V ，开关电源系列N沟道IGBT 600V, SMPS Series N-Channel IGBT
Intersil（英特矽尔）
70A ， 600V ， UFS系列N沟道IGBT 70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
Fairchild（飞兆/仙童）
75A ， 600V ， UFS系列N沟道IGBT 75A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
Intersil（英特矽尔）
75A ， 600V ， UFS系列N沟道IGBT 75A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
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