Datasheet 搜索 > IGBT晶体管 > Fairchild（飞兆/仙童） > HGTP10N120BN Datasheet 文档
HGTP10N120BN
来自 AiPCBA

HGTP10N120BN 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-220-3
描述:35A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT 35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
PDF文件:HGTP10N120BN 数据手册 (8 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
HGTP10N120BN 数据手册 (8 页)
查看文档
或点击图片查看大图

HGTP10N120BN 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)1.20 kV
额定电流35.0 A
封装TO-220-3
功耗298000 mW
击穿电压(集电极-发射极)1200 V
额定功率(Max)298 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)298000 mW
查看数据手册 >

HGTP10N120BN 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
高度9.4 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

HGTP10N120BN 数据手册

HGTP10N120BN 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.19 MByte
HGTP10N120BN 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.19 MByte
HGTP10N120BN 产品设计图
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.09 MByte

HGTP10N120 数据手册

HGTP10N120BN 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
35A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT 35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
HGTP10N120BN 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
HGTP10N120BN 数据手册
Intersil（英特矽尔）
35A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT 35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
HGTP10N120BN 数据手册
Harris
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet