类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
针脚数 | 3 Position |
功耗 | 167 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
反向恢复时间 | 30 ns |
额定功率(Max) | 167 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 167000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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Fairchild(飞兆/仙童)
600V ,开关电源系列N沟道IGBT的 600V, SMPS Series N-Channel IGBTs
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTP12N60A4D 单晶体管, IGBT, 54 A, 2.7 V, 167 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
ON Semiconductor(安森美)
单晶体管, IGBT, 54 A, 2.7 V, 167 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
Intersil(英特矽尔)
600V ,开关电源系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
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