| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 1.20 kV |
| 额定电流 | 21.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 功耗 | 167000 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 1200 V |
| 反向恢复时间 | 65 ns |
| 额定功率(Max) | 167 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 167000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tube |
| 高度 | 9.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Fairchild（飞兆/仙童）
8 页 / 0.19 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
10 页 / 0.28 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.09 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
HGTP5N120BND 系列 1200 V 21 A 法兰安装 N沟道 IGBT - TO-220AB
ON Semiconductor（安森美）
IGBT-NPT-1200V-21A-167W-通孔-TO-220-3
Intersil（英特矽尔）
21A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT的 21A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBTs
Intersil（英特矽尔）
21A ， 1200V ，不扩散核武器条约系列N沟道IGBT的与反并联二极管超高速 21A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
