类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
功耗 | 125000 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
反向恢复时间 | 34 ns |
额定功率(Max) | 125 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 125000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Rail |
高度 | 9.65 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
ON Semiconductor(安森美)
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Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTP7N60A4 单晶体管, IGBT, 34 A, 2.7 V, 125 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
ON Semiconductor(安森美)
单晶体管, IGBT, 34 A, 2.7 V, 125 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚
Intersil(英特矽尔)
600V ,开关电源系列N沟道IGBT 600V, SMPS Series N-Channel IGBT
Fairchild(飞兆/仙童)
600V ,开关电源系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
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