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HGTP7N60B3D
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HGTP7N60B3D 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-220-3
描述:HGTP7N60B3D 管装
PDF文件:HGTP7N60B3D 数据手册 (8 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
HGTP7N60B3D 数据手册 (8 页)
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HGTP7N60B3D 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
功耗60000 mW
击穿电压(集电极-发射极)600 V
反向恢复时间37 ns
额定功率(Max)60 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)60000 mW
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HGTP7N60B3D 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Rail
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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HGTP7N60B3D 数据手册

HGTP7N60B3D 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.48 MByte
HGTP7N60B3D 产品设计图
ON Semiconductor（安森美）
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