类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-252-3 |
功耗 | 128W (Tc) |
漏源极电压(Vds) | 55 V |
上升时间 | 30 ns |
输入电容值(Ciss) | 1060pF @25V(Vds) |
下降时间 | 33 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 128W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Obsolete |
包装方式 | Rail |
材质 | Silicon |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.21 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
20A , 55V , 0.026 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 20A, 55V, 0.026 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
Intersil(英特矽尔)
20A , 55V , 0.026 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 20A, 55V, 0.026 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75329D3ST. 场效应管, MOSFET, N沟道, 55V, 20A
Fairchild(飞兆/仙童)
20A , 55V , 0.026 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 20A, 55V, 0.026 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75329D3ST, 20 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件