| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 55.0 V |
| 额定电流 | 49.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 漏源极电阻 | 26.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 128W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 漏源击穿电压 | 55.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 49.0 A |
| 输入电容值(Ciss) | 1060pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 128 W |
| 耗散功率(Max) | 128W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75329D3ST. 场效应管, MOSFET, N沟道, 55V, 20A
Fairchild（飞兆/仙童）
20A ， 55V ， 0.026 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 20A, 55V, 0.026 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75329D3ST, 20 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
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20A ， 55V ， 0.026 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 20A, 55V, 0.026 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
Fairchild（飞兆/仙童）
49A ， 55V ， 0.024 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 49A, 55V, 0.024 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
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