类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
封装 | TO-263-3 |
功耗 | 128W (Tc) |
漏源极电压(Vds) | 55 V |
输入电容值(Ciss) | 1060pF @25V(Vds) |
耗散功率(Max) | 128W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Obsolete |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
ON Semiconductor(安森美)
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Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75329D3ST. 场效应管, MOSFET, N沟道, 55V, 20A
Fairchild(飞兆/仙童)
20A , 55V , 0.026 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 20A, 55V, 0.026 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75329D3ST, 20 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
Fairchild(飞兆/仙童)
20A , 55V , 0.026 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 20A, 55V, 0.026 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
Fairchild(飞兆/仙童)
49A , 55V , 0.024 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 49A, 55V, 0.024 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
Fairchild(飞兆/仙童)
49A , 55V , 0.024 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 49A, 55V, 0.024 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
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