| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 55.0 V |
| 额定电流 | 75.0 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.012 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 200 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 2.00 nF |
| 栅电荷 | 60.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 55 V |
| 漏源击穿电压 | 55.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 75.0 A |
| 上升时间 | 60 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2000pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 200 W |
| 下降时间 | 25 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 200W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 4.83 mm |
| 高度 | 9.4 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75339P3 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 12 mohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor（安森美）
HUF75339P3 系列 N沟道 55 V 0.012 Ohm UltraFET 功率Mosfet - TO-220AB
Fairchild（飞兆/仙童）
75A ， 55V ， 0.012 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 75A, 55V, 0.012 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
Intersil（英特矽尔）
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