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HUF75344P3
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HUF75344P3 数据手册 (12 页)
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HUF75344P3 技术参数、封装参数

HUF75344P3 数据手册

Intersil(英特矽尔)
12 页 / 0.77 MByte
Intersil(英特矽尔)
10 页 / 0.37 MByte

HUF75344 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HUF75344G3.  场效应管, MOSFET, N沟道
Fairchild(飞兆/仙童)
UltraFET® MOSFET,Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量,且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用:高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
UltraFET® MOSFET,Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量,且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用:高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75344P3, 75 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道UltraFET功率MOSFET 55V , 75A ,8Mヘ N-Channel UltraFET Power MOSFET 55V, 75A, 8mヘ
Intersil(英特矽尔)
75A , 55V , 0.008 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 75A, 55V, 0.008 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
Intersil(英特矽尔)
75A , 55V , 0.008 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 75A, 55V, 0.008 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道 55V 75A
Intersil(英特矽尔)
75A , 55V , 0.008 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 75A, 55V, 0.008 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
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