类型 | 描述 |
---|
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-263-3 |
功耗 | 325 W |
漏源极电压(Vds) | 55 V |
上升时间 | 118 ns |
输入电容值(Ciss) | 4000pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 325 W |
下降时间 | 26 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 325000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
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ON Semiconductor(安森美)
HUF75345S3S 系列 55 V 0.007 Ohm N 沟道 UltraFET 功率 Mosfet - TO-263AB
Fairchild(飞兆/仙童)
75A , 55V , 0.007 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 75A, 55V, 0.007 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
Fairchild(飞兆/仙童)
75A , 55V , 0.007 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 75A, 55V, 0.007 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
Intersil(英特矽尔)
75A , 55V , 0.007 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 75A, 55V, 0.007 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
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