类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 80.0 V |
额定电流 | 75.0 A |
封装 | TO-220-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 10 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 270 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 80 V |
漏源击穿电压 | 80.0 V |
栅源击穿电压 | ±20.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 75.0 A |
上升时间 | 125 ns |
输入电容值(Ciss) | 3750pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 270 W |
下降时间 | 90 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 270W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.67 mm |
宽度 | 4.7 mm |
高度 | 16.3 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75545P3 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 80 V, 10 mohm, 10 V, 4 V
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75545S3ST 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 80 V, 0.0082 ohm, 10 V, 4 V
ON Semiconductor(安森美)
HUF75545P3 系列 N沟道 80 V 0.01 Ohm UltraFET 功率Mosfet - TO-220AB
Fairchild(飞兆/仙童)
75A , 80V , 0.010 Ohm的N通道, UltraFET功率MOSFET 75A, 80V, 0.010 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 80 V, 0.0082 ohm, 10 V, 4 V
Fairchild(飞兆/仙童)
75A , 80V , 0.010 Ohm的N通道, UltraFET功率MOSFET 75A, 80V, 0.010 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
Intersil(英特矽尔)
75A , 80V , 0.010 Ohm的N通道, UltraFET功率MOSFET 75A, 80V, 0.010 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET
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