| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0115 Ω |
| 功耗 | 310 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 上升时间 | 117 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3790pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 310 W |
| 下降时间 | 97 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 310 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 4.83 mm |
| 高度 | 11.33 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
UltraFET® MOSFET，Fairchild Semiconductor
●UItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。
●应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。
●### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor
●Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
●Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
10 页 / 0.35 MByte
ON Semiconductor（安森美）
10 页 / 0.38 MByte
ON Semiconductor（安森美）
4 页 / 1.15 MByte
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75645S3ST 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 75mA
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75645S3ST, 75 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
Fairchild（飞兆/仙童）
75A ， 100V ， 0.014 Ohm的N通道， UltraFET功率MOSFET 75A, 100V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
Intersil（英特矽尔）
75A ， 100V ， 0.014 Ohm的N通道， UltraFET功率MOSFET 75A, 100V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs
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