| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 75.0 A |
| 封装 | TO-247-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0067 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 515 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 75.0 A |
| 输入电容值(Ciss) | 7585pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 515 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 515W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 15.87 mm |
| 宽度 | 4.82 mm |
| 高度 | 20.82 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75652G3.. 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 75A, TO-247
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUF75652G3, 75 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247封装
Intersil（英特矽尔）
75A ， 100V ， 0.008 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 75A, 100V, 0.008 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET
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