类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 60.0 V |
额定电流 | 20.0 A |
封装 | TO-251-3 |
漏源极电阻 | 27.0 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 85 W |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
漏源击穿电压 | 60.0 V |
栅源击穿电压 | ±16.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 20.0 A |
上升时间 | 145 ns |
输入电容值(Ciss) | 1060pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 85 W |
下降时间 | 50 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 85W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tube |
长度 | 6.8 mm |
宽度 | 2.5 mm |
高度 | 6.3 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Fairchild(飞兆/仙童)
10 页 / 0.19 MByte
ON Semiconductor(安森美)
HUF76423P3 系列 N沟道 60 V 0.035 Ohm 逻辑电平 UltraFET 功率Mosfet-TO-220AB
Fairchild(飞兆/仙童)
20A , 60V , 0.037 Ohm的N通道,逻辑电平UltraFET电源MOSFETFairchild 20A, 60V, 0.037 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETFairchild
Fairchild(飞兆/仙童)
UltraFET® MOSFET,Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量,且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用:高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild(飞兆/仙童)
20A , 60V , 0.037 Ohm的N通道,逻辑电平UltraFET电源MOSFETFairchild 20A, 60V, 0.037 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETFairchild
Intersil(英特矽尔)
33A , 60V , 0.035 Ohm的N通道,逻辑电平UltraFET功率MOSFET 33A, 60V, 0.035 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
Fairchild(飞兆/仙童)
33A , 60V , 0.035 Ohm的N通道,逻辑电平UltraFET功率MOSFET 33A, 60V, 0.035 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
Intersil(英特矽尔)
20A , 60V , 0.037 Ohm的N通道,逻辑电平UltraFET功率MOSFET 20A, 60V, 0.037 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件