| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 功耗 | 85 W |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 输入电容值(Ciss) | 1060pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 85 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 85 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Rail, Tube |
| 长度 | 10.67 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 高度 | 16.3 mm |
UltraFET® MOSFET，Fairchild Semiconductor
●UItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。
●应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
HUF76423P3 系列 N沟道 60 V 0.035 Ohm 逻辑电平 UltraFET 功率Mosfet-TO-220AB
Fairchild（飞兆/仙童）
20A ， 60V ， 0.037 Ohm的N通道，逻辑电平UltraFET电源MOSFETFairchild 20A, 60V, 0.037 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETFairchild
Fairchild（飞兆/仙童）
UltraFET® MOSFET，Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild（飞兆/仙童）
20A ， 60V ， 0.037 Ohm的N通道，逻辑电平UltraFET电源MOSFETFairchild 20A, 60V, 0.037 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETFairchild
Intersil（英特矽尔）
33A ， 60V ， 0.035 Ohm的N通道，逻辑电平UltraFET功率MOSFET 33A, 60V, 0.035 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
Fairchild（飞兆/仙童）
33A ， 60V ， 0.035 Ohm的N通道，逻辑电平UltraFET功率MOSFET 33A, 60V, 0.035 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
Intersil（英特矽尔）
20A ， 60V ， 0.037 Ohm的N通道，逻辑电平UltraFET功率MOSFET 20A, 60V, 0.037 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
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