HUFA75307T3ST 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:	Fairchild（飞兆/仙童）
分类:	MOS管
封装:	TO-261-4
描述:	UltraFET® MOSFET，Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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HUFA75307T3ST 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	4 Pin
额定电压(DC)	55.0 V
额定电流	2.60 A
封装	TO-261-4
通道数	1 Channel
漏源极电阻	90.0 mΩ
极性	N-Channel
功耗	1.1 W
漏源极电压(Vds)	55 V
漏源击穿电压	55.0 V
栅源击穿电压	±20.0 V
连续漏极电流(Ids)	2.60 A
输入电容值(Ciss)	250pF @25V(Vds)
额定功率(Max)	1.1 W
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	1.1W (Ta)

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HUFA75307T3ST 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	6.7 mm
宽度	3.7 mm
高度	1.8 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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Fairchild（飞兆/仙童）

UltraFET® MOSFET，Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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