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IAUT260N10S5N019ATMA1
来自 AiPCBA

IAUT260N10S5N019ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:PG-HSOF-8
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 260 A, 100 V, 0.0016 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IAUT260N10S5N019ATMA1 数据手册 (9 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IAUT260N10S5N019ATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数9 Pin
封装PG-HSOF-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.0016 Ω
功耗300 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)100 V
上升时间11 ns
输入电容值(Ciss)9100pF @50V(Vds)
下降时间38 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300000 mW
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IAUT260N10S5N019ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
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IAUT260N10S5N019ATMA1 数据手册

IAUT260N10S5N019ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.21 MByte
IAUT260N10S5N019ATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
40 页 / 0.46 MByte

IAUT260N10S5N019 数据手册

IAUT260N10S5N019 数据手册
Infineon（英飞凌）
场效应管(MOSFET) IAUT260N10S5N019 -
IAUT260N10S5N019ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 260 A, 100 V, 0.0016 ohm, 10 V, 3 V
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