类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 2 Pin |
封装 | TO-220 |
功耗 | 48 W |
最大正向浪涌电流 | 38 A |
正向电压(Max) | 2.1 V |
正向电流(Max) | 4 A |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.2 mm |
宽度 | 4.5 mm |
高度 | 15.95 mm |
thinQ! 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管,Infineon
●Infineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术,用于碳化硅肖特基势垒二极管,可提高耐热性。碳化硅肖特基二极管设备在提供高压功率半导体特性方面极具优势,如提高击穿电场强度和增强导热性,从而提高效率。最新一代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电机驱动器、太阳能逆变器以及 PC Silverbox 和照明应用。
●降低的 EMI
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
INFINEON IDH04G65C5 二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-220
Infineon(英飞凌)
INFINEON IDH04G65C5XKSA1 二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-220
Infineon(英飞凌)
Infineon 二极管 IDH04G65C5XKSA2 肖特基, Io=4A, 2引脚 TO-220封装
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