| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 2 Pin |
| 封装 | TO-220-2 |
| 正向电压 | 1.8V @5A |
| 热阻 | 2℃/W (RθJC) |
| 反向恢复时间 | 0 ns |
| 正向电流 | 5 A |
| 最大正向浪涌电流 | 29 A |
| 正向电流(Max) | 5 A |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 工作结温(Max) | 175 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 75000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Each |
Infineon（英飞凌）
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INFINEON IDH05S60C 二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 2G 600V系列, 单, 600 V, 5 A, 12 nC, TO-220
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thinQ!™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管，InfineonInfineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。 Infineon thinQ!™ 肖特基二极管具有 600V、650V 和 1200V 电压选择。 Infineon 1200V 碳化硅二极管高效，且在 1200 V 操作时无损耗。 碳化硅肖特基二极管碳化硅设备提供各种用于高电压功率半导体的功能，如更高的击穿电场强度和导热性，可提供更高效率水平。 此代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电动机驱动器、太阳能反相器及 PC Silverbox 和照明应用。 降低的 EMI ### 二极管和整流器，Infineon
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INFINEON IDH05G65C5 二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 5 A, 8 nC, TO-220
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IDH05G120C5 系列 1200 V 5 A 第5代 ThinQ!™ SiC 肖特基 二极管-TO-220-2
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INFINEON IDH05G65C5XKSA1 二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 5 A, 8 nC, TO-220
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的thinQ ！ TM SiC肖特基二极管 thinQ!TM SiC Schottky Diode
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INFINEON IDH05S60CAKSA1 二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 2G 600V系列, 单, 600 V, 5 A, 12 nC, TO-220
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INFINEON IDH05S120AKSA1 二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 2G 1200V系列, 单, 1.2 kV, 5 A, 18 nC, TO-220
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