IDH10SG60C 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:	Infineon（英飞凌）
分类:	肖特基二极管
封装:	TO-220-2
描述:	thinQ!™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管，InfineonInfineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。 Infineon thinQ!™ 肖特基二极管具有 600V、650V 和 1200V 电压选择。 Infineon 1200V 碳化硅二极管高效，且在 1200 V 操作时无损耗。碳化硅肖特基二极管碳化硅设备提供各种用于高电压功率半导体的功能，如更高的击穿电场强度和导热性，可提供更高效率水平。此代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电动机驱动器、太阳能反相器及 PC Silverbox 和照明应用。降低的 EMI ### 二极管和整流器，Infineon
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IDH10SG60C 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
引脚数	2 Pin
封装	TO-220-2
额定功率	120 W
负载电流	10 A
正向电压	2.1V @10A
功耗	120 W
热阻	1.25℃/W (RθJC)
反向恢复时间	0 ns
正向电流	10 A
最大正向浪涌电流	51 A
正向电压(Max)	2.2 V
正向电流(Max)	10 A
工作温度(Max)	175 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
工作结温(Max)	175 ℃
耗散功率(Max)	120000 mW

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IDH10SG60C 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
长度	10.2 mm
宽度	4.5 mm
高度	9.45 mm
工作温度	55℃ ~ 175℃

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IDH10SG60C 概述

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Infineon（英飞凌）

16 页 / 0.77 MByte

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thinQ!™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管，InfineonInfineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。 Infineon thinQ!™ 肖特基二极管具有 600V、650V 和 1200V 电压选择。 Infineon 1200V 碳化硅二极管高效，且在 1200 V 操作时无损耗。碳化硅肖特基二极管碳化硅设备提供各种用于高电压功率半导体的功能，如更高的击穿电场强度和导热性，可提供更高效率水平。此代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电动机驱动器、太阳能反相器及 PC Silverbox 和照明应用。降低的 EMI ### 二极管和整流器，Infineon

IDH10SG60CXKSA1 数据手册

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Infineon 二极管 IDH10SG60CXKSA1 肖特基, Io=10A, 2引脚 TO-220封装

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