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IDH12G65C5
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IDH12G65C5 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:二极管
封装:TO-220-2
描述:650V的SiC的thinQ ！一?? ¢ 5代二极管 650V SiC thinQ!™ Generation 5 diodes
PDF文件:IDH12G65C5 数据手册 (11 页)封装尺寸在9 页
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IDH12G65C5 数据手册 (11 页)
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IDH12G65C5 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数2 Pin
封装TO-220-2
正向电压1.7 V
正向电流12000 mA
正向电流(Max)12000 mA
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)104000 mW
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IDH12G65C5 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Rail, Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃
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IDH12G65C5 数据手册

IDH12G65C5 数据手册
Infineon（英飞凌）
11 页 / 1.14 MByte

IDH12G65 数据手册

IDH12G65C5 数据手册
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650V的SiC的thinQ ！一?? ¢ 5代二极管 650V SiC thinQ!™ Generation 5 diodes
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