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IDW30G65C5
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IDW30G65C5 技术参数、封装参数

IDW30G65C5 外形尺寸、物理参数、其它

IDW30G65C5 数据手册

Infineon(英飞凌)
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IDW30G65 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  IDW30G65C5FKSA1  二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 30 A, 42 nC, TO-247
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IDW30G65C5  二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 30 A, 42 nC, TO-247
Infineon(英飞凌)
thinQ! 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管,InfineonInfineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术,用于碳化硅肖特基势垒二极管,可提高耐热性。碳化硅肖特基二极管设备在提供高压功率半导体特性方面极具优势,如提高击穿电场强度和增强导热性,从而提高效率。最新一代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电机驱动器、太阳能逆变器以及 PC Silverbox 和照明应用。降低的 EMI### 二极管和整流器,Infineon
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