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IGB01N120H2ATMA1
来自 AiPCBA

IGB01N120H2ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-263-3
PDF文件:IGB01N120H2ATMA1 数据手册 (12 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
IGB01N120H2ATMA1 数据手册 (12 页)
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IGB01N120H2ATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
功耗28000 mW
击穿电压(集电极-发射极)1200 V
额定功率(Max)28 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)28000 mW
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IGB01N120H2ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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IGB01N120H2ATMA1 数据手册

IGB01N120H2ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
12 页 / 1.15 MByte
IGB01N120H2ATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IGB01N120H2ATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
73 页 / 2.93 MByte
IGB01N120H2ATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
48 页 / 2 MByte

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