IGB30N60H3 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:	Infineon（英飞凌）
分类:	IGBT晶体管
封装:	TO-263-3
描述:	IGBT 分立，InfineonInfineon 分散 IGBT 系列提供不同的技术，如 NPT、N 通道 TRENCHSTOPTM 和 Fieldstop。它们可用于很多可能需要硬切换和软切换的应用。这包括工业驱动器、UPS、逆变器、家用电器和感应烹饪。有些设备可能具有防并联二极管或整体集成二极管。### IGBT 分立件和模块，Infineon绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
PDF文件:	IGB30N60H3 数据手册 (14 页)
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

IGB30N60H3 数据手册 (14 页)

查看文档

或点击图片查看大图

IGB30N60H3 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
封装	TO-263-3
额定功率	187 W
功耗	187 W
工作温度(Max)	175 ℃
工作温度(Min)	-40 ℃
耗散功率(Max)	187 W

查看数据手册 >

IGB30N60H3 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	10.31 mm
宽度	9.45 mm
高度	4.57 mm
工作温度	-40℃ ~ 175℃

查看数据手册 >

IGB30N60H3 符合标准

IGB30N60H3 海关信息

IGB30N60H3 概述

IGB30N60H3 数据手册

Infineon（英飞凌）

14 页 / 1.59 MByte

IGB30N60H3 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IGB30N60H3 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

73 页 / 2.93 MByte

IGB30N60H3 开发手册

Infineon（英飞凌）

48 页 / 2 MByte

IGB30N60 数据手册

IGB30N60T 数据手册

Infineon（英飞凌）

低损耗IGBT的工艺TRENCHSTOP Low Loss IGBT in TrenchStop technology

IGB30N60H3 数据手册

Infineon（英飞凌）

IGBT 分立，Infineon**Infineon** 分散 IGBT 系列提供不同的技术，如 NPT、N 通道 TRENCHSTOPTM 和 Fieldstop。它们可用于很多可能需要硬切换和软切换的应用。这包括工业驱动器、UPS、逆变器、家用电器和感应烹饪。有些设备可能具有防并联二极管或整体集成二极管。### IGBT 分立件和模块，Infineon绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

IGB30N60H3ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon IGB30N60H3ATMA1 N沟道 IGBT, Vce=600 V, 30 A, 3+Tab引脚 D2PAK (TO-263)封装

IGB30N60TATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

IGB30N60H3XKSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

器件 Datasheet 文档搜索

数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号