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IGB50N60T
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IGB50N60T 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-263-3
描述:低损耗IGBT的沟槽场终止和技术 LOW LOSS IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY
PDF文件:IGB50N60T 数据手册 (12 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
IGB50N60T 数据手册 (12 页)
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IGB50N60T 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
额定功率333 W
击穿电压(集电极-发射极)600 V
额定功率(Max)333 W
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)333000 mW
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IGB50N60T 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度10.25 mm
宽度9.9 mm
高度4.4 mm
工作温度-40℃ ~ 175℃
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IGB50N60T 数据手册

IGB50N60T 数据手册
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.62 MByte
IGB50N60T 产品设计参考手册
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270 页 / 11.59 MByte
IGB50N60T 其他数据使用手册
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73 页 / 2.93 MByte
IGB50N60T 开发手册
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48 页 / 2 MByte

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