| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247-3 |
| 额定功率 | 483 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 功耗 | 270 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 1200 V |
| 额定功率(Max) | 270 W |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 270 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 15.9 mm |
| 宽度 | 5.3 mm |
| 高度 | 20.95 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ |
Infineon TrenchStop IGBT 晶体管，电压 1100 至 1600V
●一系列 Infineon 的 IGBT 晶体管，带电压额定值为 1100 至 1600V 的集电极-发射极，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带集成高速、快速恢复防并联二极管的设备。
● 集电极-发射极电压范围 1100 至 1600V
● 极低 VCEsat
● 低关闭损耗
● 短尾线电流
● 低 EMI
● 最高接点温度 175°C
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INFINEON IGW40T120 单晶体管, IGBT, 40 A, 2.3 V, 270 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
Infineon（英飞凌）
INFINEON IGW40N65H5FKSA1 单晶体管, IGBT, 40 A, 1.65 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 引脚
Infineon（英飞凌）
INFINEON IGW40N65F5FKSA1 单晶体管, IGBT, 40 A, 1.6 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 引脚
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高速IGBT的沟槽场终止和技术 High speed IGBT in Trench and Fieldstop technology
Infineon（英飞凌）
INFINEON IGW40T120FKSA1 单晶体管, IGBT, 40 A, 2.3 V, 270 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
Infineon（英飞凌）
单晶体管, IGBT, 67 A, 1.6 V, 246 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
Infineon（英飞凌）
INFINEON IGW40N120H3 单晶体管, IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
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INFINEON IGW40N65F5 单晶体管, IGBT, 40 A, 1.6 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 引脚
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INFINEON IGW40N120H3FKSA1 单晶体管, IGBT, 40 A, 2.4 V, 483 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚
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