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IHW30N90R
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IHW30N90R 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-247-3
描述:逆导IGBT与单片体二极管 Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode
PDF文件:IHW30N90R 数据手册 (12 页)
Pictures:
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焊盘图
引脚图
产品图
IHW30N90R 数据手册 (12 页)
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IHW30N90R 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
功耗454 W
击穿电压(集电极-发射极)900 V
额定功率(Max)454 W
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)454 W
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IHW30N90R 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
长度16.03 mm
宽度5.16 mm
高度21.1 mm
工作温度-40℃ ~ 175℃ (TJ)
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IHW30N90R 数据手册

IHW30N90R 数据手册
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.29 MByte
IHW30N90R 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.36 MByte
IHW30N90R 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
12 页 / 0.28 MByte

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