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IKA10N60T
来自 AiPCBA

IKA10N60T 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-220-3
描述:IGBT的沟槽场终止和技术，柔软，快速恢复反并联EMCON何二极管 IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
PDF文件:IKA10N60T 数据手册 (13 页)
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IKA10N60T 数据手册 (13 页)
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IKA10N60T 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
额定功率30 W
功耗30000 mW
击穿电压(集电极-发射极)600 V
反向恢复时间115 ns
额定功率(Max)30 W
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)30000 mW
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IKA10N60T 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10 mm
宽度4.4 mm
高度15.99 mm
工作温度-40℃ ~ 175℃
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IKA10N60T 数据手册

IKA10N60T 数据手册
Infineon（英飞凌）
13 页 / 0.49 MByte
IKA10N60T 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IKA10N60T 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
73 页 / 2.93 MByte
IKA10N60T 开发手册
Infineon（英飞凌）
48 页 / 2 MByte

IKA10N60 数据手册

IKA10N60T 数据手册
Infineon（英飞凌）
IGBT的沟槽场终止和技术，柔软，快速恢复反并联EMCON何二极管 IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
IKA10N60TXKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
IGBT-沟槽型场截止-600V-11.7A-30W-通孔-PG-TO220-3
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