| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 功耗 | 110 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
| 反向恢复时间 | 115 ns |
| 额定功率(Max) | 110 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 110000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.31 mm |
| 宽度 | 9.45 mm |
| 高度 | 4.57 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 175℃ (TJ) |
Infineon TrenchStop IGBT 晶体管，600 和 650V
●一系列 Infineon IGBT 晶体管，集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V，采用 TrenchStop™ 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。
● 集电极-发射器电压范围为 600 至 650V
● 极低的 VCEsat
● 低断开损耗
● 短尾线电流
● 低 EMI
● 最大接点温度为 175°C
Infineon（英飞凌）
13 页 / 0.62 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
73 页 / 2.93 MByte
Infineon（英飞凌）
48 页 / 2 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON IKB10N60T 单晶体管, IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263, 3 引脚
Infineon（英飞凌）
Infineon IKB10N60TATMA1 N沟道 IGBT, Vce=600 V, 20 A, 1MHz, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
